TSM2N100CP ROG

Número de Producto del Fabricante:

TSM2N100CP ROG

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM2N100CP ROG-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252

Descripción Detallada:

N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

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12897073

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TSM2N100CP ROG Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Taiwan Semiconductor

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1000 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.85A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

8.5Ohm @ 900mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

625 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

77W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-252 (DPAK)

Paquete / Caja

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base

TSM2N100

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

TSM2N100CP ROGDKR-DG

TSM2N100CPROGDKR

TSM2N100CP ROGTR-DG

TSM2N100CP ROGCT-DG

TSM2N100CP ROGDKR

TSM2N100CP ROGCT

TSM2N100CPROGCT

TSM2N100CP ROGTR

TSM2N100CPROGTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

IXTY1R6N100D2

FABRICANTE

IXYS

CANTIDAD DISPONIBLE

0

NÚMERO DE PIEZA

IXTY1R6N100D2-DG

PRECIO UNITARIO

1.54

TIPO DE SUSTITUCIÓN

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Certificación DIGI

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